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砷化鎵假晶高電子移動率電晶體磊晶片 GaAs PHEMT epi wafer

砷化鎵高電子移動率電晶體磊晶片(HEMT or MESFET Epi Wafer)

 
砷化鎵高電子移動率電晶體元件的主要優點在於:
低射頻雜訊、高頻率響應、高切換速度、高頻寬、高功率
 
因此在無線通訊及光纖通訊領域佔有相當重要的地位,特別在超高頻領域應用上的功率放大器,開關及低雜訊放大器均具有非常重要的地位。目前由於手機及無線區域網路(WLAN)日益普及而HEMT優異的高頻開關特性非常適合用於手機及WLAN的RF開關應用,造就了HEMT元件商品化大量生產的契機。
 
全新光電基於MOCVD的核心磊晶技術,成長出世界一流品質水準的高電子移動率電晶體磊晶片,尤其在4吋及6吋磊晶片均勻性方面,更為客戶所肯定。不論在產品的品質,特性及可靠度上,均獲世界級大廠認證通過,並透過嚴格的品質管制系統,維持優異的量產品質。
 
應用:
  • 手機(Mobile Handsets)
  • 無線區域網路(WLAN)
  • 藍芽通訊(Blue Tooth)
  • 基地台(Base Stations)
  • 汽車防撞雷達(Automobile Radar)
  • 高頻低雜訊放大器(Low Noise Amplifier, LNA)
  • 高頻功率放大器及切換開關(PA, Switches)
  • 衛星通訊(Satellite Communications)

產品特性

  

    


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