異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHEMT)

BiHEMT的設計是應用矽基的 BiCMOS的概念，但其不同的地方在於，經由電路設計透過磊晶成長及製程將InGaP HBT線性功率放大器、AlGaAs PHEMT高頻開關、AlGaAs PHEMT邏輯控制電路、AlGaAs PHEM低雜訊的功率放大器、被動元件及內部連接線路整合在單一砷化鎵晶片中。由於可以提高晶片整合度，降低晶片尺寸，使得材料與製造成本下降，BiHEMT近來已經成為砷化鎵微波電路的新趨勢。 

BiHEMT的整合比起之前的多晶片模組具有更多的優勢。除了模組的尺寸縮小之外，其封裝成本更低，因此大大地降低了材料成本，且由於其內部元件都屬砷化鎵基的元件，因此可以節省一些偏壓及控制電路，使其更為省電。

BiHEMT的結構也提供電路設計者更大的設計彈性，其內部每個單元可以選擇不同的元件結構以達到更佳的特性。例如在單一AlGaAs PHEMT結構的晶片上，是使用蕭特基二極體(Schottky diode)當作靜電傷害保護二極體(electrostatic damage protection diode)，其缺點是佔用的面積太大，然而在BiHEMT的結構中，HBT的基極-集極二極體(B-C diode)可以用作PHEMT開關的靜電傷害保護二極體以解決了蕭特基二極體佔用的面積太大的問題。

產品特性