本公司係以有機金屬化學氣相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)技術專業生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片，而所謂半導體（semiconductor）就是導電性介於導體（conductor）與絕緣體兩極端值之間的材料，其特點在於可以適量加入不同的雜質以改變材料特性（就是所謂的摻雜），並經由熱與光的應用而得到重大改變。因 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗天然輻射、能源使用率佳、能階帶可調整及電子移動速度快等優點，而發展為近年無線通訊、光纖通訊、太陽能電池及光顯示之關鍵組件。

在Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中，目前最廣泛應用在通訊產品上的就是砷化鎵(GaAs)材料，因此 GaAs 能符合高頻高速通訊元件的特性要求，在通訊產業快速發展並對通訊元件要求輕、薄、短、小的趨勢下，GaAs 技術已日形重要，本公司目前主要產品為以：

• GaAs為基板磊晶之微電子元件
• 異質接面雙極電晶體(Heterojunction Bipolar Transistors, HBT)磊晶片
• 假晶高速電子移動電晶體(Pseudo-morphic Heterostructure Field Effect Transistors, PHEMT)磊晶片