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磷化銦異質接面雙載子電晶體磊晶片 InP HBT epi wafer

磷化銦異質接面雙載子電晶體磊晶片(InP HBT Epi Wafer)

 
砷化鎵材料相比,磷化銦材料具備了更優異的高頻響應特性及更高的電子移動率。因此磷化銦異質接面雙載子電晶體,可比砷化鎵HBT具有更高的操作頻率及更高的頻寬,被視為是光纖通訊應用中之光接收放大器的最佳選擇。由於磷化銦HBT具備比砷化鎵HBT更低的能隙,元件的工作電壓可以為砷化鎵HBT的一半,因此磷化銦HBT製成的功率放大器耗電量將會比目前的砷化鎵HBT大為降低且其功率附加效率(PAE)亦將更為提高,應用於手機上將可使手機的使用時間大為提升,因此被視為在新一世代手機應用上深具潛力。
 
全新光電基於MOCVD的核心磊晶技術,成長出世界一流水準的磷化銦HBT磊晶片,尤其在均勻性方面,更為客戶所肯定。在產品的品質及特性上,已獲世界級大廠認證通過尤其在高頻特性上,已由客戶証實ft及fmax可超過160GHz,非常適合未來40Gb/s的光纖通訊應用需求。
 
應用:
  • 手機(Mobile Handsets)
  • 無線區域網路(WLAN)
  • 藍芽通訊(Blue Tooth)
  • 光纖通訊(Optical Fiber Communications)
  • 衛星通訊(Satellite Communications)
  • 微波及射頻積體電路(MMIC, RFIC)

 

產品特性

   

    


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