砷化鎵光偵測器磊晶片 (GaAs PD Epi Wafer)

砷化鎵化合物半導體，由於具備優異的光電轉換效率，低暗電流，高電子移動率及優異的高頻響應特性，因此非常適合用於做為光偵測器的應用。而砷化鎵材料因可吸收短距離光纖通訊的雷射光波段(850nm)，因此常被應用於短距離光纖通訊之光接收器。

全新光電基於MOCVD的核心磊晶技術，成長出世界一流品質水準的砷化鎵光偵測器磊晶片，尤其在吸光層低背景濃度及均勻性方面，更為客戶所肯定。不論在產品的品質，特性及可靠度上，均獲世界級大廠認證通過，並透過嚴格的品質管制系統，維持優異的量產品質

應用：

• 光纖通訊
• 微波開關

產品特性