中文  | ENGLISH | SITEMAP  | WEB MAIL
 
砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片 GaAs HBT epi wafer
由於砷化鎵HBT具備下列特點:

1.線性度佳、2.高速度、3.高電流密度、4.低相位雜訊、5.單電源設計、6.高功率效益。
 
因此目前已被廣泛應用於無線通訊領域,特別是在手機及無線區域網路(WLAN)的功率放大器(Power Amplifier,PA)應用上, HBT 更是不可或缺的元件。目前GaAs HBT 在功率放大器應用上的市場佔有率也從1995年的10%躍升到2004年的80%,可見砷化鎵HBT已經取代Si元件而成為PA的主流應用。隨著3G手機市場的起飛,由於3G手機微波功能日趨複雜,因此砷化鎵HBT的PA使用數量亦呈倍數增加。
 
全新光電基於 MOCVD 的核心磊晶技術,創造出世界一流品質水準的砷化鎵HBT磊晶片,不論在產品的品質,特性及可靠度上,均已獲得多家世界級國際大廠認證通過,並透過嚴格的品質管制系統,維持優異的量產品質。
 
應用: 
  • 手機(Mobile Handsets)
  • 無線區域網路(WLAN)
  • 藍芽通訊(Blue Tooth)
  • 汽車防撞雷達(Automobile Radar)
  • 基地台(Base Stations)
  • 光纖通訊(Optical Fiber Communications)
  • 衛星通訊(Satellite Communications)

產品特性

   


TEL:+886-3-4192969 FAX:+886-3-4192968 ADD:桃園市平鎮區平鎮工業區工業一路16號
Copyright© 2010 VPEC. All rights reserved. Site Design & Technology by FOCUS