三五族化合物半導體，由於具備優異的光電轉換效率，低暗電流及高電子移動率，因此非常適合用於做為光偵測器的應用。其中又以常用於短距離光纖通訊的砷化鎵光偵測器（GaAs PD diode）及遠距離光纖通訊的砷化銦鎵光偵測器（InGaAs PD diode）最為普及。而砷化銦鎵材料因可吸收遠距離光纖通訊的雷射光波段(1.3um,1.55um)，因此又可被應用於監控雷射功率的光偵測器(power monitor PD)及光纖通訊之光接收器(photo detector)。由於砷化銦鎵的能隙較小，電子移動率高，因此也常被應用於熱影像偵測器及遠紅外線照相鏡頭。隨著環保意織的高漲，砷化銦鎵材料，由於具備偵測遠紅外線波段，因此也開始發展應用於環保塑膠資源回收、農產品篩選及玻璃工業量產中之產品缺陷檢側用途。

全新光電基於MOCVD的核心磊晶技術，成長出世界一流品質水準的砷化鎵光偵測器及砷化銦鎵光偵測器磊晶片，尤其在均勻性及暗電流穩定性方面，更為客戶所肯定。不論在產品的品質，特性及可靠度上，均獲世界級大廠認證通過，並透過嚴格的品質管制系統，維持優異的量產品質。

為追求更卓越的品質及不斷的創新，全新光電更推出鋅(Zn)擴散完成的砷化銦鎵光偵測器磊晶片，幫客戶完成至鋅(Zn)擴散的前端元件製程，包括InGaAs contact ring蝕刻，SiNx成長，SiNx蝕刻及在MOCVD的鋅擴散製程。因在MOCVD的鋅擴散均勻度及擴散深度準確性極佳，因此客戶可拿到特性及均勻性更佳的Zn擴散InGaAs PD磊晶片，此種磊晶片不僅可使客戶免去前端製程所做的製程設備及廠房投資，大幅降低製造成本，更可讓客戶在接到磊晶片後不需做任何製程即可量測元件的電特性，產品品質更有保障，因此倍受客戶的好評。

應用：

• 光纖通訊
• 紅外線攝影鏡頭
• 熱影像追蹤系統
• 資源回收系統
• 農產品檢測系統
• 雷射功率偵 測器

產品特性