中文  | ENGLISH | SITEMAP  | WEB MAIL
 
超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片 High voltage HBT epi wafer

超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片 (High Voltage GaAs HBT Epi Wafer)

 
於砷化鎵HBT優異的元件特性,造就了它在手機及無線區域網路(WLAN)功率放大器(PA)應用上的主流地位,相較於Si元件,由於砷化鎵材料的能隙較大,材料耐電壓較強,因此非常適合用於超高電壓微波元件上的應用,尤其是使用在儀器設備或基地台上。
 
全新光電基於MOCVD的磊晶技術,研發出耐高電壓的砷化鎵HBT磊晶片,其基集極崩潰電壓可超過70伏特以上而射集崩潰電壓也可超過40伏特以上,符合3G基地台及其它高功率電晶體的應用,且其高頻特性均較目前相對之Si元件為佳,目前元件特性,可靠度及量產再現性均已通過世界大廠的認証,並於2006年順利進入量產。
 
應用:
  • 基地台
  • 微波量測設備
  • 微波超高功率電晶

   

產品特性

    


TEL:+886-3-4192969 FAX:+886-3-4192968 ADD:桃園市平鎮區平鎮工業區工業一路16號
Copyright© 2010 VPEC. All rights reserved. Site Design & Technology by FOCUS