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公司沿革

年度

公司沿革
民國111年 2月 取得台灣專利『包含具有壓縮應力AlGaAsP層的垂直共振腔表面放射鐳射二極體（VCSEL)』。
  2月 榮獲平鎮工業區服務中心頒發區域聯防實兵演練績優廠商獎項。
  3月 取得中國專利『具有穿隧接面層的垂直腔面鐳射發射器（VCSEL)』。
  4月 取得中國專利『具有能隙漸變的電洞阻隔層的異質接面雙極性電晶體結構』。
  4月 取得中國專利『高功率VCSEL 』。
  4月 取得中國專利『包含具有壓縮應力AlGaAsP層的垂直共振腔表面放射鐳射二極體（VCSEL)』。
  7月 取得中國專利『具有多個電流局限層的垂直共振腔表面放射鐳射二極體』。
  7月 取得台灣專利『高堅固性的異質接面雙極性電晶體』。
  7月 平鎮廠與平鎮二廠完成2021年度直接與間接溫室氣體排放量盤查與取得查驗聲明書。
  10月 取得台灣專利『高功率垂直共振腔表面放射雷射二極體（VCSEL）』。
  11月 參與工業區職業安全衛生促進計畫，獲頒全國工業區績優人員獎項。
 民國110年 2月 通過負責任商業聯盟（RBA）查驗（VAP），無勞工、安衛、環境與倫理面重大（priority）缺失。
  5月 取得台灣專利『具堅固性的異質接面雙極性電晶體結構』。
  6月 取得美國專利『具堅固性的異質接面雙極性電晶體結構』。
  7月 取得台灣專利『垂直共振腔表面放射電射二極體（VCSEL）的量測方法及磊晶片測試治具』。
  9月 取得台灣專利『具有複數電流侷限層的垂直共振腔表面放射雷射二極體』。
  9月 取得美國專利『具堅固性的異質接面雙極性電晶體結構』。
  10月 取得台灣專利『半導體雷射二極體』。
  11月 取得台灣專利『異質接面雙極性電晶體』。
  11月 榮獲全國工業區安全衛生促進計畫績優單位獎項。
  12月 取得美國專利『具有缺陷阻隔層的雷射二極體』。
 民國109年 4月  取得台灣專利『具堅固性的異質接面雙極性電晶體結構』。
  10月  取得美國專利『具有能隙漸變的電洞阻隔層的異質接面雙極性電晶體結構』。
 民國107年 1月  平鎮二廠取得工廠登記。
  5月  取得大陸專利『定向磊晶的異質接面雙極性晶體管結構』。
  ９月 平鎮二廠通過職安署危險工作場所審查及檢查，認證及格。
  12月 取得台灣專利『具有能隙漸變的電洞阻隔層之異質接面雙極性電晶體結構』。
民國106年 12月 取得美國專利『DIRECTED EPITAXIAL HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR』。
民國105年 10月 辦理現金減資，銷除股份61,635仟股，減資後實收資本額為1,849,059仟元整。
10月 取得台灣專利『具有阻隔層結構之異質接面雙極性電晶體』。
12月 取得台灣專利『定向磊晶之異質接面雙極性電晶體結構』。
民國104年  3月
取得美國專利『BIHEMT DEVICE HAVING A STACKED SEPERATING LAYER』。
6月 取得台灣專利『雙極高電子遷移率電晶體』。
9月 取得美國專利『HIGH ELECTRON MOBILITY BIPOLAR TRANSISTOR』。
民國103年  10月
取得台灣職安衛管理系統 TOSHMS 五年績效認可。
民國102年 2月 員工認股權憑證認購667仟股，增資後實收資本額為2,465,412仟元整。
  10月 參與勞委會全國工業區安全夥伴計畫，獲頒績優安衛人員獎項。
  11月 開始進行溫室氣體盤查，取得 ISO-14064-1查證聲明書。
  12月 完成B棟工程。
民國101年 8月 辦理資本公積轉增資22,343仟股，增資後實收資本額為2,457,692仟元整。
民國100年 3月 取得零災害40萬工時記錄與台灣職安衛管理系統 TOSHMS 三年績效認可。
8月 辦理盈餘暨資本公積轉增資計44,519仟股，增資後實收資本額為2,225,946仟元整。
民國99年 9月 獲頒經濟部技術處 "2010 科技成果創新獎"。
9月 辦理盈餘暨資本公積轉增資計34,935仟股，增資後實收資本額為1,750,937仟元整。
民國98年 1月 出售LED部份製程設備及專利，策略聚焦微電子及太陽能產品。
8月 榮獲美國最大客戶2008年之最佳供應商。
8月 通過與取得職安衛管理系統(OHSAS/TOSHS)認證。
11月 榮獲經濟部工業局『安衛楷模』。
12月 現金增資10,000仟股，發行價格每股58.00元，增資後實收資本額為1,376,763仟元整。
民國97年  5月 取得行政院原子能委員會核能研究所『多接面太陽能電池』標案。
9月 通過TS16949認證。
9月 辦理資本公積轉增資計11,413仟股，增資後實收資本額為1,266,402仟元整。
民國96年 2月 『高效率聚光型多接面太陽能電池磊晶片』獲經濟部工業局通過其主導性新產品開發輔導計畫。
6月 取得美國專利『Heterojunction bipolar transistor structure』。
10月 現金增資8,000仟股，發行價格每股60.40元，增資後實收資本額為1,107,110仟元整。
11月 取得美國高亮度LED發明專利『High-Brightness Light Emitting Diode Having Reflective Layer』。
民國95年  11月 發行國內第一次有擔保轉換公司債新台幣參億元整。
民國94年  3月 辦理私募增資計8,250仟股，增資後實收資本額為895,500仟元整。
7月 辦理私募增資計8,350仟股，增資後實收資本額為979,000仟元整。
民國93年 9月 辦理私募增資計3,400仟股，增資後實收資本額為813,000仟元整。
民國92年  4月 確立與主要客戶之策略聯盟關係。
10月 WB LED正式量產出貨。
民國91年  1月 股票獲准上市，於元月廿四日正式掛牌買賣。
10月 InP HBT獲得客戶認證。
11月 通過ISO 14000認證。
民國90年 2月 經濟部工業局審議通過本公司以科技類股申請上市，並核發產品已開發成功且具市場性之意見書。
4月 辦理盈餘、資本公積暨員工紅利轉增資計7,900仟股，增資後實收資本額為779,000仟元整。
5月 取得危險性工作場所許可，為國內第一家取得此類許可之化合物半導體廠。
民國89年 1月 經濟部工業局經(89)字第8927704號函核准業界開發產業計畫『850nm砷化鋁鎵面發光式雷射磊晶技術開發』。
3月 現金增資19,600仟股，發行價格每股40元，增資後實收資本額為700,000仟元整。
5月 完成平鎮新廠建廠工程。
6月 HBT正式獲世界最大客戶認證。
10月 高功率LD磊晶片正式量產。
民國88年 2月 經濟部工業局工(88)二字第007130號函核准主導性新產品開發計畫『異質接面磷化銦鎵/砷化鎵雙載子電晶體磊晶片』。
3月 現金增資14,400仟股，發行價格每股20元，增資後實收資本額為504,000仟元整。
7月 通過ISO9001認證。
民國87年 1月 LED磊晶片已達高亮度水準。
2月 微電子元件HBT磊晶片發展成功，並送出樣本供客戶使用。
3月 LED磊晶片發展成功，並送出樣本供客戶使用。
7月 現金增資13,000仟股，發行價格每股10元，增資後實收資本額為新台幣360,000仟元整。
民國86年 2月 遷入龍潭廠廠房及辦公室。
6月 第一部磊晶成長系統設備由德國運抵本公司。
9月 經濟部工業局正式核准為重要科技事業。
10月 第一部磊晶成長系統完成驗收，開始成長微電子元件磊晶片。
10月 成長出第一個HBT磊晶片。
民國85年 11月 核准設立，登記資本額為新台幣360,000仟元整。第一次實收資本額為新台幣230,000仟元整。
11月 完成評比分析後進行生產及量測機台之採購。
12月 購置龍潭廠廠房及辦公室。

 

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