低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epi Wafer)

 

砷化鎵HBT(GaAs HBT)目前在手機及WLAN的功率放大器（Power Amplifier）上的應用已非常廣泛並已取代矽元件躍升為主流技術，由於在手機上的應用趨勢為省電及高效率，因此降低砷化鎵HBT元件的導通電壓（turn-on voltage）即成為市場應用上之趨勢。而降低砷化鎵HBT的導通電壓不僅可降低功率放大器的操作電壓，減少耗電量之外，更可提高元件的操作功率效率，一舉兩得。

全新光電基於世界一流的砷化鎵HBT磊晶技術，發展出新一代的低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAsSb HBT)。可有效降低元件及電路操作電壓，達到節能及高效率之目的。目前產品的品質，特性及可靠度陸續已通過多家世界級國際大廠認證。尤其在3G WCDMA的功率放大器(PA)應用上，已由客戶証實可提高約3%以上的附加功率效率（PAE），非常適合3G WCDMA的應用需求。

 

應用：

• 手機(Mobile Handsets)
• 無線區域網路(WLAN)
• 藍芽通訊(Blue Tooth)
• 光纖通訊(Optical Fiber Communications)
• 衛星通訊(Satellite Communications)
• 汽車防撞雷達系統(Automobile Radar)
• 微波積體電路及射頻積體電路(MMIC, RFIC)

 

產品特性