利用MOCVD磊晶技術將不同能隙的III-V族化合物半導體堆疊在鍺基板上，形成多接面太陽能電池。且為直接能隙材料，可有效率地吸收紫外光、可見光與紅外光區域之太陽光子，轉換為電，是目前轉換效率最高的太陽光電材料，同時具有高抗輻射與可靠度佳之特性，此類材料已經大量應用於太空衛星與地面聚光型太陽光電發電廠。

VPEC以自有的核心MOCVD磊晶技術，發展高效率多接面太陽能電池等相關產品，可以提供客戶不同的應用 。

 

相關產品特色

• 高效率、聚光型InGaP/GaAs/Ge 三接面太陽能電池，光電轉換效率超過37% (500 suns)。
• 4至6吋鍺基板，含磊晶材料總厚度為180 至 250 µm。
• 提供客製化磊晶結構代工服務。